Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    The effect of rf power on the growth of InN films by modified activated reactive evaporation

    Neue Suche nach: Biju, K. P.
    Neue Suche nach: Jain, M. K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    The effect of rf power on the growth of InN films by modified activated reactive evaporation

    Neue Suche nach: Biju, K. P.
    Neue Suche nach: Jain, M. K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    The effect of rf power on the growth of InN films by modified activated reactive evaporation

    Neue Suche nach: Biju, K. P.
    Neue Suche nach: Jain, M. K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    The effect of rf power on the growth of InN films by modified activated reactive evaporation

    Beteiligte:

    Biju, K. P. (Autor:in) / Jain, M. K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 7259-7265

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Room temperature growth of high crystalline quality Cu3N thin films by modified activated reactive evaporation

    Sahoo, G. / Meher, S. R. / Jain, M. K. | British Library Online Contents | 2015

    Room temperature growth of InxGa1-xN thin films by mixed source modified activated reactive evaporation

    Meher, S. R. / Biju, K. P. / Jain, M. K. | British Library Online Contents | 2011

    Impedometric anion sensing behaviour of InxGa1-xN films grown by modified activated reactive evaporation

    Meher, S. R. / Biju, K. P. / Jain, M. K. | British Library Online Contents | 2011

    Characteristics of titanium oxide films deposited by an activated reactive evaporation method

    Fujii, T. / Sakata, N. / Takada, J. et al. | British Library Online Contents | 1994

    Deposition of indium nitride films by activated reactive evaporation process - a feasibility study

    Patil, S. J. / Bodas, D. S. / Mandale, A. B. et al. | British Library Online Contents | 2005

    Nach oben