The high quality ZnO growth on c-Al2O3 substrate with Cr2O3 buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

The high quality ZnO growth on c-Al2O3 substrate with Cr2O3 buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy

Park, J. S. / Hong, S. K. / Minegishi, T. / Im, I. H. / Park, S. H. / Hanada, T. / Chang, J. H. / Cho, M. W. / Yao, T.

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The high quality ZnO growth on c-Al2O3 substrate with Cr2O3 buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy

Park, J. S. / Hong, S. K. / Minegishi, T. / Im, I. H. / Park, S. H. / Hanada, T. / Chang, J. H. / Cho, M. W. / Yao, T.

The high quality ZnO growth on c-Al2O3 substrate with Cr2O3 buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy

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Titel:

The high quality ZnO growth on c-Al2O3 substrate with Cr2O3 buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Park, J. S. (Autor:in) / Hong, S. K. (Autor:in) / Minegishi, T. (Autor:in) / Im, I. H. (Autor:in) / Park, S. H. (Autor:in) / Hanada, T. (Autor:in) / Chang, J. H. (Autor:in) / Cho, M. W. (Autor:in) / Yao, T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 7786-7789

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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