Influence of Ge content on formation of radiation defects in Si1-xGex solid solutions: Fid-Bau Portal

Influence of Ge content on formation of radiation defects in Si1-xGex solid solutions

Atabaev, I. G. / Matchanov, N. A. / Yusupov, A. / Saidov, D. S. / Saidov, M. S.

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Atabaev, I. G. / Matchanov, N. A. / Yusupov, A. / Saidov, D. S. / Saidov, M. S.

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Titel:

Influence of Ge content on formation of radiation defects in Si1-xGex solid solutions

Beteiligte:

Atabaev, I. G. (Autor:in) / Matchanov, N. A. (Autor:in) / Yusupov, A. (Autor:in) / Saidov, D. S. (Autor:in) / Saidov, M. S. (Autor:in)

Erschienen in:

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE ; 44 ; 832-834

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0927-0256

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 510

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