Effect of Si interlayer thickness and post-metallization annealing on Ge MOS capacitor on Ge-on-Si substrate: Fid-Bau Portal

Effect of Si interlayer thickness and post-metallization annealing on Ge MOS capacitor on Ge-on-Si substrate

Yoo, O. S. / Oh, J. / Kang, C. Y. / Lee, B. H. / Han, I. S. / Choi, W. H. / Kwon, H. M. / Na, M. K. / Majhi, P. / Tseng, H. H.

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Titel:

Effect of Si interlayer thickness and post-metallization annealing on Ge MOS capacitor on Ge-on-Si substrate

Beteiligte:

Yoo, O. S. (Autor:in) / Oh, J. (Autor:in) / Kang, C. Y. (Autor:in) / Lee, B. H. (Autor:in) / Han, I. S. (Autor:in) / Choi, W. H. (Autor:in) / Kwon, H. M. (Autor:in) / Na, M. K. (Autor:in) / Majhi, P. (Autor:in) / Tseng, H. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 154-155 ; 102-105

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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