Epitaxial growth of NiSi~2 induced by sulfur segregation at the NiSi~2/Si(100) interface: Fid-Bau Portal

Epitaxial growth of NiSi~2 induced by sulfur segregation at the NiSi~2/Si(100) interface

Zhao, Q.T. / Mi, S.B. / Jia, C.L. / Urban, C. / Sandow, C. / Habicht, S. / Mantl, S.

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Titel:

Epitaxial growth of NiSi~2 induced by sulfur segregation at the NiSi~2/Si(100) interface

Beteiligte:

Zhao, Q.T. (Autor:in) / Mi, S.B. (Autor:in) / Jia, C.L. (Autor:in) / Urban, C. (Autor:in) / Sandow, C. (Autor:in) / Habicht, S. (Autor:in) / Mantl, S. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 24 ; 135-139

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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