NiSi integration in a non-selective base SiGeC HBT process: Fid-Bau Portal

NiSi integration in a non-selective base SiGeC HBT process

Haralson, E. / Suvar, E. / Gunnar Malm, B. / Radamson, H. / Wang, Y. B. / Ostling, M.

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Titel:

NiSi integration in a non-selective base SiGeC HBT process

Beteiligte:

Haralson, E. (Autor:in) / Suvar, E. (Autor:in) / Gunnar Malm, B. (Autor:in) / Radamson, H. (Autor:in) / Wang, Y. B. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 245-248

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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