Tunable Memory Characteristics of Nanostructured, Nonvolatile Charge Trap Memory Devices Based on a Binary Mixture of Metal Nanoparticles as a Charge Trapping Layer: Fid-Bau Portal

Tunable Memory Characteristics of Nanostructured, Nonvolatile Charge Trap Memory Devices Based on a Binary Mixture of Metal Nanoparticles as a Charge Trapping Layer

Lee, J. S. / Kim, Y. M. / Kwon, J. H. / Shin, H. / Sohn, B. H. / Lee, J.

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Titel:

Tunable Memory Characteristics of Nanostructured, Nonvolatile Charge Trap Memory Devices Based on a Binary Mixture of Metal Nanoparticles as a Charge Trapping Layer

Beteiligte:

Lee, J. S. (Autor:in) / Kim, Y. M. (Autor:in) / Kwon, J. H. (Autor:in) / Shin, H. (Autor:in) / Sohn, B. H. (Autor:in) / Lee, J. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 21 ; 178-183

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)