4H Silicon Carbide Etching Using Chlorine Trifluoride Gas: Fid-Bau Portal

4H Silicon Carbide Etching Using Chlorine Trifluoride Gas

Habuka, H. / Katsumi, Y. / Miura, Y. / Tanaka, K. / Fukai, Y. / Fukae, T. / Gao, Y. / Kato, T. / Okumura, H. / Arai, K.

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Titel:

4H Silicon Carbide Etching Using Chlorine Trifluoride Gas

Beteiligte:

Habuka, H. (Autor:in) / Katsumi, Y. (Autor:in) / Miura, Y. (Autor:in) / Tanaka, K. (Autor:in) / Fukai, Y. (Autor:in) / Fukae, T. (Autor:in) / Gao, Y. (Autor:in) / Kato, T. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 655-658

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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