Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Development of Silicon Carbide Dry Etcher Using Chlorine Trifluoride Gas
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Yajima, D. (Autor:in) / Habuka, H. (Autor:in) / Kato, T. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H. / Hatayama, T. / Matsuura, H.
01.01.2014
4 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
620.11
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4H Silicon Carbide Etching Using Chlorine Trifluoride Gas
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BORON CARBIDE SINTERED BODY AND ETCHER INCLUDING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2020
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| DataCite | 1908
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