The Preparation of World-Class Single Crystal Silicon Carbide Wafers Using High Rate Chemical Mechanical Planarization Slurries: Fid-Bau Portal

The Preparation of World-Class Single Crystal Silicon Carbide Wafers Using High Rate Chemical Mechanical Planarization Slurries

White, M.L. / Reggie, S. / Naguib, N. / Nicholson, K. / Gilliland, J. / Walters, A.

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Titel:

The Preparation of World-Class Single Crystal Silicon Carbide Wafers Using High Rate Chemical Mechanical Planarization Slurries

Beteiligte:

White, M.L. (Autor:in) / Reggie, S. (Autor:in) / Naguib, N. (Autor:in) / Nicholson, K. (Autor:in) / Gilliland, J. (Autor:in) / Walters, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 839-842

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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