4H-SiC Bipolar Junction Transistors with a Current Gain of 108: Fid-Bau Portal

4H-SiC Bipolar Junction Transistors with a Current Gain of 108

Zhang, J. / Jonas, C. / Burk, A.A. / Capell, C. / Young, J. / Callanan, R. / Agarwal, A. / Palmour, J. / Geil, B. / Scozzie, C.J.

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Titel:

4H-SiC Bipolar Junction Transistors with a Current Gain of 108

Beteiligte:

Zhang, J. (Autor:in) / Jonas, C. (Autor:in) / Burk, A.A. (Autor:in) / Capell, C. (Autor:in) / Young, J. (Autor:in) / Callanan, R. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Geil, B. (Autor:in) / Scozzie, C.J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1159-1162

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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