3C-SiC Heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si Using Trichlorosilane (TCS) as the Silicon Precursor: Fid-Bau Portal

3C-SiC Heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si Using Trichlorosilane (TCS) as the Silicon Precursor

Anzalone, R. / Severino, A. / D Arrigo, G. / Bongiorno, C. / Fiorenza, P. / Foti, G. / Condorelli, G. / Mauceri, M. / Abbondanza, G. / La Via, F.

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Titel:

3C-SiC Heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si Using Trichlorosilane (TCS) as the Silicon Precursor

Beteiligte:

Anzalone, R. (Autor:in) / Severino, A. (Autor:in) / D Arrigo, G. (Autor:in) / Bongiorno, C. (Autor:in) / Fiorenza, P. (Autor:in) / Foti, G. (Autor:in) / Condorelli, G. (Autor:in) / Mauceri, M. (Autor:in) / Abbondanza, G. (Autor:in) / La Via, F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 243-246

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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