SiC-4H Epitaxial Layer Growth Using Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor: Fid-Bau Portal

SiC-4H Epitaxial Layer Growth Using Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor

Leone, S. / Mauceri, M. / Pistone, G. / Abbondanza, G. / Portuese, F. / Abagnale, G. / Valente, G. L. / Crippa, D. / Barbera, M. / Reitano, R.

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Titel:

SiC-4H Epitaxial Layer Growth Using Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor

Beteiligte:

Leone, S. (Autor:in) / Mauceri, M. (Autor:in) / Pistone, G. (Autor:in) / Abbondanza, G. (Autor:in) / Portuese, F. (Autor:in) / Abagnale, G. (Autor:in) / Valente, G. L. (Autor:in) / Crippa, D. (Autor:in) / Barbera, M. (Autor:in) / Reitano, R. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 179-182

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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