Evolution of D~1-Defect Center in 4H-SiC during High Temperature Annealing: Fid-Bau Portal

Evolution of D~1-Defect Center in 4H-SiC during High Temperature Annealing

Maximenko, S.I. / Freitas, J.A. / Garces, N.Y. / Glaser, E.R. / Fanton, M.A.

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Titel:

Evolution of D~1-Defect Center in 4H-SiC during High Temperature Annealing

Beteiligte:

Maximenko, S.I. (Autor:in) / Freitas, J.A. (Autor:in) / Garces, N.Y. (Autor:in) / Glaser, E.R. (Autor:in) / Fanton, M.A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 429-432

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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