Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Theoretical Comparison of 3C-SiC and Si Nanowire FETs in Ballistic Regime

    Neue Suche nach: Rogdakis, K.
    Neue Suche nach: Bescond, M.
    Neue Suche nach: Bano, E.
    Neue Suche nach: Zekentes, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Theoretical Comparison of 3C-SiC and Si Nanowire FETs in Ballistic Regime

    Neue Suche nach: Rogdakis, K.
    Neue Suche nach: Bescond, M.
    Neue Suche nach: Bano, E.
    Neue Suche nach: Zekentes, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Theoretical Comparison of 3C-SiC and Si Nanowire FETs in Ballistic Regime

    Neue Suche nach: Rogdakis, K.
    Neue Suche nach: Bescond, M.
    Neue Suche nach: Bano, E.
    Neue Suche nach: Zekentes, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Theoretical Comparison of 3C-SiC and Si Nanowire FETs in Ballistic Regime

    Beteiligte:

    Rogdakis, K. (Autor:in) / Bescond, M. (Autor:in) / Bano, E. (Autor:in) / Zekentes, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 579-582

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Fabrication of Si1-xGex alloy nanowire FETs

    Eun-Kyoung Jeon, / Han-Kyu Sung, / Jeong-O Lee, et al. | IEEE | 2006

    Side‐Gated In2O3 Nanowire Ferroelectric FETs for High‐Performance Nonvolatile Memory Applications

    Su, Meng / Yang, Zhenyu / Liao, Lei et al. | Wiley | 2016

    Freier Zugriff

    Modelling doping design in nanowire tunnel-FETs based on group-IV semiconductors

    Settino, Francesco / Crupi, Felice / Biswas, Subhajit et al. | British Library Online Contents | 2017

    Modelling doping design in nanowire tunnel-FETs based on group-IV semiconductors

    Settino, Francesco / Crupi, Felice / Biswas, Subhajit et al. | British Library Online Contents | 2017

    Ambipolar organic FETs

    British Library Online Contents | 2003

    Nach oben