Defects in 4H-SiC Layers Grown by Chloride-Based Epitaxy: Fid-Bau Portal

Defects in 4H-SiC Layers Grown by Chloride-Based Epitaxy

Beyer, F.C. / Pedersen, H. / Henry, A. / Janzen, E.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Defects in 4H-SiC Layers Grown by Chloride-Based Epitaxy

Beyer, F.C. / Pedersen, H. / Henry, A. / Janzen, E.

Defects in 4H-SiC Layers Grown by Chloride-Based Epitaxy

Beyer, F.C. / Pedersen, H. / Henry, A. / Janzen, E.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Defects in 4H-SiC Layers Grown by Chloride-Based Epitaxy

Beteiligte:

Beyer, F.C. (Autor:in) / Pedersen, H. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 373-376

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Kadhim, N. J. / Mukherjee, D. | British Library Online Contents | 1996

Investigation of ripple defects on molecular beam epitaxy grown GaAs layers

Kadhim, N. J. / Mukherjee, D. / Mehta, M. | British Library Online Contents | 1993

Positron annihilation studies of defects in molecular beam epitaxy grown III-V layers

Umlor, M. T. / Asoka-Kumar, P. / Keeble, D. J. et al. | British Library Online Contents | 1995

Properties of AlN Layers Grown by Sublimation Epitaxy

Beshkova, M. / Zakhariev, Z. / Birch, J. et al. | British Library Online Contents | 2003

Investigation of 3C-SiC Epitaxial Layers Grown by Sublimation Epitaxy

Davydov, D. V. / Lebedev, A. A. / Tregubova, A. S. et al. | British Library Online Contents | 2000

Nach oben