Reliability of 4H-SiC(000-1) MOS Gate Oxide Using N~2O Nitridation: Fid-Bau Portal

Reliability of 4H-SiC(000-1) MOS Gate Oxide Using N~2O Nitridation

Suzuki, T. / Senzaki, J. / Hatakeyama, T. / Fukuda, K. / Shinohe, T. / Arai, K.

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Titel:

Reliability of 4H-SiC(000-1) MOS Gate Oxide Using N~2O Nitridation

Beteiligte:

Suzuki, T. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Hatakeyama, T. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 557-560

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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