Characterization of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes by Admittance vs Temperature Analyses: Fid-Bau Portal

Characterization of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes by Admittance vs Temperature Analyses

Raynaud, C. / Nguyen, D.M. / Brosselard, P. / Perez-Tomas, A. / Planson, D. / Millan, J.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Characterization of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes by Admittance vs Temperature Analyses

Raynaud, C. / Nguyen, D.M. / Brosselard, P. / Perez-Tomas, A. / Planson, D. / Millan, J.

Characterization of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes by Admittance vs Temperature Analyses

Raynaud, C. / Nguyen, D.M. / Brosselard, P. / Perez-Tomas, A. / Planson, D. / Millan, J.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Characterization of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes by Admittance vs Temperature Analyses

Beteiligte:

Raynaud, C. (Autor:in) / Nguyen, D.M. (Autor:in) / Brosselard, P. (Autor:in) / Perez-Tomas, A. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 671-674

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Sharma, Mamta / Tripathi, S.K. | British Library Online Contents | 2016

Junction Barrier Schottky Diodes in 4H-SiC and 6H-SiC

Dahlquist, F. / Zetterling, C.-M. / Oestling, M. et al. | British Library Online Contents | 1998

Simulation, Fabrication and Characterization of 4H-SiC Floating Junction Schottky Barrier Diodes (Super-SBDs)

Ota, C. / Nishio, J. / Hatakeyama, T. et al. | British Library Online Contents | 2007

Fabrication of 1.2kV, 100A, 4H-SiC(0001) and (000-1) Junction Barrier Schottky Diodes with Almost Same Schottky Barrier Height

Kinoshita, A. / Ohyanagi, T. / Yatsuo, T. et al. | British Library Online Contents | 2010

On the frequency and voltage dependence of admittance characteristics of Al/PTCDA/P-Si (MPS) type Schottky barrier diodes (SBDs)

Tecimer, H. / Uslu, H. / Alahmed, Z.A. et al. | British Library Online Contents | 2014

Nach oben