Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures: Fid-Bau Portal

Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures

Roccaforte, F. / Iucolano, F. / Giannazzo, F. / Moschetti, G. / Bongiorno, C. / Di Franco, S. / Puglisi, V. / Abbondanza, G. / Raineri, V.

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Titel:

Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures

Beteiligte:

Roccaforte, F. (Autor:in) / Iucolano, F. (Autor:in) / Giannazzo, F. (Autor:in) / Moschetti, G. (Autor:in) / Bongiorno, C. (Autor:in) / Di Franco, S. (Autor:in) / Puglisi, V. (Autor:in) / Abbondanza, G. (Autor:in) / Raineri, V. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 967-970

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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