InGaAs Metal Oxide Semiconductor Devices with Ga~2O~3(Gd~2O~3) High- kappa Dielectrics for Science and Technology beyond Si CMOS: Fid-Bau Portal

InGaAs Metal Oxide Semiconductor Devices with Ga~2O~3(Gd~2O~3) High- kappa Dielectrics for Science and Technology beyond Si CMOS

Hong, M. / Kwo, J. / Lin, T.D. / Huang, M.L.

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Titel:

InGaAs Metal Oxide Semiconductor Devices with Ga~2O~3(Gd~2O~3) High- kappa Dielectrics for Science and Technology beyond Si CMOS

Beteiligte:

Hong, M. (Autor:in) / Kwo, J. (Autor:in) / Lin, T.D. (Autor:in) / Huang, M.L. (Autor:in)

Erschienen in:

MRS BULLETIN- MATERIALS RESEARCH SOCIETY ; 34 ; 514-521

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0883-7694

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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