A study on materials interactions between Mo electrode and InGaZnO active layer in InGaZnO-based thin film transistors: Fid-Bau Portal

A study on materials interactions between Mo electrode and InGaZnO active layer in InGaZnO-based thin film transistors

Park, K. / An, C.-H. / Hwang, B.-I. / Lee, H.-J. / Kim, H. / Son, K. / Kwon, J.-Y. / Lee, S.

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Titel:

A study on materials interactions between Mo electrode and InGaZnO active layer in InGaZnO-based thin film transistors

Beteiligte:

Park, K. (Autor:in) / An, C.-H. (Autor:in) / Hwang, B.-I. (Autor:in) / Lee, H.-J. (Autor:in) / Kim, H. (Autor:in) / Son, K. (Autor:in) / Kwon, J.-Y. (Autor:in) / Lee, S. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 25 ; 266-271

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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