Improvements in passivation effect of amorphous InGaZnO thin film transistors: Fid-Bau Portal

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Improvements in passivation effect of amorphous InGaZnO thin film transistors

Dong, C. / Shi, J. / Wu, J. / Chen, Y. / Zhou, D. / Hu, Z. / Xie, H. / Zhan, R. / Zou, Z.

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Titel:

Improvements in passivation effect of amorphous InGaZnO thin film transistors

Beteiligte:

Dong, C. (Autor:in) / Shi, J. (Autor:in) / Wu, J. (Autor:in) / Chen, Y. (Autor:in) / Zhou, D. (Autor:in) / Hu, Z. (Autor:in) / Xie, H. (Autor:in) / Zhan, R. (Autor:in) / Zou, Z. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 20 ; 7-11

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

© Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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