A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE: Fid-Bau Portal

A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE

Guo, Y. / Liu, X. L. / Song, H. P. / Yang, A. L. / Xu, X. Q. / Zheng, G. L. / Wei, H. Y. / Yang, S. Y. / Zhu, Q. S. / Wang, Z. G.

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Titel:

A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE

Beteiligte:

Guo, Y. (Autor:in) / Liu, X. L. (Autor:in) / Song, H. P. (Autor:in) / Yang, A. L. (Autor:in) / Xu, X. Q. (Autor:in) / Zheng, G. L. (Autor:in) / Wei, H. Y. (Autor:in) / Yang, S. Y. (Autor:in) / Zhu, Q. S. (Autor:in) / Wang, Z. G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 3352-3356

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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