Interface characterization and indium content of indium-rich quantum dots in InGaN/GaN multiple quantum wells: Fid-Bau Portal

Interface characterization and indium content of indium-rich quantum dots in InGaN/GaN multiple quantum wells

Liu, C. P. / Lai, Y. L. / Chen, Z. Q.

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Titel:

Interface characterization and indium content of indium-rich quantum dots in InGaN/GaN multiple quantum wells

Beteiligte:

Liu, C. P. (Autor:in) / Lai, Y. L. (Autor:in) / Chen, Z. Q. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 3922-3927

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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