Low-Pressure Fast Growth and Characterization of 4H-SiC Epilayers: Fid-Bau Portal

Low-Pressure Fast Growth and Characterization of 4H-SiC Epilayers

Tsuchida, H. / Ito, M. / Kamata, I. / Nagano, M. / Miyazawa, T. / Hoshino, N.

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Titel:

Low-Pressure Fast Growth and Characterization of 4H-SiC Epilayers

Beteiligte:

Tsuchida, H. (Autor:in) / Ito, M. (Autor:in) / Kamata, I. (Autor:in) / Nagano, M. (Autor:in) / Miyazawa, T. (Autor:in) / Hoshino, N. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 77-82

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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