Epitaxial Growth of 4H-SiC with High Growth Rate Using CH~3Cl and SiCl~4 Chlorinated Growth Precursors: Fid-Bau Portal

Epitaxial Growth of 4H-SiC with High Growth Rate Using CH~3Cl and SiCl~4 Chlorinated Growth Precursors

Kotamraju, S.P. / Krishnan, B. / Koshka, Y.

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Titel:

Epitaxial Growth of 4H-SiC with High Growth Rate Using CH~3Cl and SiCl~4 Chlorinated Growth Precursors

Beteiligte:

Kotamraju, S.P. (Autor:in) / Krishnan, B. (Autor:in) / Koshka, Y. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G. / Rupp, R. / Seyller, T.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 103-106

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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