Thermally Induced Surface Reorganization of 3C-SiC(111) Epilayers Grown on Silicon Substrates: Fid-Bau Portal

Thermally Induced Surface Reorganization of 3C-SiC(111) Epilayers Grown on Silicon Substrates

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Titel:

Thermally Induced Surface Reorganization of 3C-SiC(111) Epilayers Grown on Silicon Substrates

Beteiligte:

Portail, M. (Autor:in) / Chassagne, T. (Autor:in) / Roy, S. (Autor:in) / Moisson, C. (Autor:in) / Zielinski, M. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G. / Rupp, R.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 155-158

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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