Structural Analysis of Dislocations in Highly Nitrogen-Doped 4H-SiC Substrates: Fid-Bau Portal

Structural Analysis of Dislocations in Highly Nitrogen-Doped 4H-SiC Substrates

Katsuno, M. / Ohtani, N. / Nakabayashi, M. / Fujimoto, T. / Yashiro, H. / Tsuge, H. / Aigo, T. / Hoshino, T. / Hirano, H. / Ohashi, W.

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Katsuno, M. / Ohtani, N. / Nakabayashi, M. / Fujimoto, T. / Yashiro, H. / Tsuge, H. / Aigo, T. / Hoshino, T. / Hirano, H. / Ohashi, W.

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Titel:

Structural Analysis of Dislocations in Highly Nitrogen-Doped 4H-SiC Substrates

Beteiligte:

Katsuno, M. (Autor:in) / Ohtani, N. (Autor:in) / Nakabayashi, M. (Autor:in) / Fujimoto, T. (Autor:in) / Yashiro, H. (Autor:in) / Tsuge, H. (Autor:in) / Aigo, T. (Autor:in) / Hoshino, T. (Autor:in) / Hirano, H. (Autor:in) / Ohashi, W. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 311-314

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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