Significant Improvement in Reliability of Thermal Oxide on 4H-SiC (0001) Face Using Ammonia Post-Oxidation Annealing: Fid-Bau Portal

Significant Improvement in Reliability of Thermal Oxide on 4H-SiC (0001) Face Using Ammonia Post-Oxidation Annealing

Senzaki, J. / Suzuki, T. / Shimozato, A. / Fukuda, K. / Arai, K. / Okumura, H.

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Titel:

Significant Improvement in Reliability of Thermal Oxide on 4H-SiC (0001) Face Using Ammonia Post-Oxidation Annealing

Beteiligte:

Senzaki, J. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in) / Shimozato, A. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 685-688

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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