Significant Improvement of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on (11&unknown;20) Face Using Hydrogen Post-Oxidation Annealing: Fid-Bau Portal

Significant Improvement of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on (11&unknown;20) Face Using Hydrogen Post-Oxidation Annealing

Senzaki, J. / Fukuda, K. / Kojima, K. / Harada, S. / Kosugi, R. / Suzuki, S. / Suzuki, T. / Arai, K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Significant Improvement of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on (11&unknown;20) Face Using Hydrogen Post-Oxidation Annealing

Senzaki, J. / Fukuda, K. / Kojima, K. / Harada, S. / Kosugi, R. / Suzuki, S. / Suzuki, T. / Arai, K.

Significant Improvement of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on (11&unknown;20) Face Using Hydrogen Post-Oxidation Annealing

Senzaki, J. / Fukuda, K. / Kojima, K. / Harada, S. / Kosugi, R. / Suzuki, S. / Suzuki, T. / Arai, K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Significant Improvement of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on (11&unknown;20) Face Using Hydrogen Post-Oxidation Annealing

Beteiligte:

Senzaki, J. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Harada, S. (Autor:in) / Kosugi, R. (Autor:in) / Suzuki, S. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1061-1064

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Fukuda, K. / Senzaki, J. / Kojima, K. et al. | British Library Online Contents | 2003

2DEG HEMT Mobility vs Inversion Channel MOSFET Mobility

Perez-Tomas, A. / Placidi, M. / Baron, N. et al. | British Library Online Contents | 2010

Significant Improvement in Reliability of Thermal Oxide on 4H-SiC (0001) Face Using Ammonia Post-Oxidation Annealing

Senzaki, J. / Suzuki, T. / Shimozato, A. et al. | British Library Online Contents | 2010

High Channel Mobility of MOSFET Fabricated on 4H-SiC (11-20) Face Using Wet Annealing

Endo, T. / Okuno, E. / Sakakibara, T. et al. | British Library Online Contents | 2009

Influence of Metallization Annealing on Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on Carbon Face

Harada, S. / Kato, M. / Yatsuo, T. et al. | British Library Online Contents | 2009

Nach oben