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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Gate Oxide Long-Term Reliability of 4H-SiC MOS Devices

    Beteiligte:

    Yu, L.C. (Autor:in) / Cheung, K.P. (Autor:in) / Dunne, G. (Autor:in) / Matocha, K. (Autor:in) / Suehle, J.S. (Autor:in) / Sheng, K. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 805-808

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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