Electromigration Behavior of through-Si-via (TSV) Interconnect for 3-D Flip Chip Packaging: Fid-Bau Portal

Electromigration Behavior of through-Si-via (TSV) Interconnect for 3-D Flip Chip Packaging

Ha, S.-S. / Yang, J.-M. / Jung, S.-B.

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Titel:

Electromigration Behavior of through-Si-via (TSV) Interconnect for 3-D Flip Chip Packaging

Beteiligte:

Ha, S.-S. (Autor:in) / Yang, J.-M. (Autor:in) / Jung, S.-B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS TRANSACTIONS ; 51 ; 1020-1027

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

1345-9678

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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