Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface: Fid-Bau Portal

Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface

Bai, Y. / Liu, J. / Ma, P. / Li, B. / Zhu, J. / Guo, L. W. / Liu, X. Y.

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Titel:

Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface

Beteiligte:

Bai, Y. (Autor:in) / Liu, J. (Autor:in) / Ma, P. (Autor:in) / Li, B. (Autor:in) / Zhu, J. (Autor:in) / Guo, L. W. (Autor:in) / Liu, X. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 6254-6258

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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