Long time stability of ITO/NiPc/ZnO/Al devices with ZnO buffer layer formed by atomic layer deposition technique-impedance spectroscopy analysis: Fid-Bau Portal

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Long time stability of ITO/NiPc/ZnO/Al devices with ZnO buffer layer formed by atomic layer deposition technique-impedance spectroscopy analysis

Stakhira, P. Y. / Grygorchak, I. I. / Cherpak, V. V. / Ivastchyshyn, F. O. / Volynyuk, D. Y. / Luka, G. / Godlewski, M. / Guziewicz, E. / Pakhomov, G. L. / Hotra, Z. Y.

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Long time stability of ITO/NiPc/ZnO/Al devices with ZnO buffer layer formed by atomic layer deposition technique-impedance spectroscopy analysis

Stakhira, P. Y. / Grygorchak, I. I. / Cherpak, V. V. / Ivastchyshyn, F. O. / Volynyuk, D. Y. / Luka, G. / Godlewski, M. / Guziewicz, E. / Pakhomov, G. L. / Hotra, Z. Y.

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Titel:

Long time stability of ITO/NiPc/ZnO/Al devices with ZnO buffer layer formed by atomic layer deposition technique-impedance spectroscopy analysis

Beteiligte:

Stakhira, P. Y. (Autor:in) / Grygorchak, I. I. (Autor:in) / Cherpak, V. V. (Autor:in) / Ivastchyshyn, F. O. (Autor:in) / Volynyuk, D. Y. (Autor:in) / Luka, G. (Autor:in) / Godlewski, M. (Autor:in) / Guziewicz, E. (Autor:in) / Pakhomov, G. L. (Autor:in) / Hotra, Z. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 172 ; 272-275

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

© Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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