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Formation of GaAs1-xNx nanofilm on GaAs by low energy N2^+ implantation

Mikoushkin, V. M.

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Titel:

Formation of GaAs1-xNx nanofilm on GaAs by low energy N2^+ implantation

Beteiligte:

Mikoushkin, V. M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 4941-4944

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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