Investigation of Surface and Interface Morphology of Thermally Grown SiO~2 Dielectrics on 4H-SiC(0001) Substrates: Fid-Bau Portal

Investigation of Surface and Interface Morphology of Thermally Grown SiO~2 Dielectrics on 4H-SiC(0001) Substrates

Hosoi, T. / Konzono, K. / Uenishi, Y. / Mitani, S. / Nakano, Y. / Nakamura, T. / Shimura, T. / Watanabe, H.

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Titel:

Investigation of Surface and Interface Morphology of Thermally Grown SiO~2 Dielectrics on 4H-SiC(0001) Substrates

Beteiligte:

Hosoi, T. (Autor:in) / Konzono, K. (Autor:in) / Uenishi, Y. (Autor:in) / Mitani, S. (Autor:in) / Nakano, Y. (Autor:in) / Nakamura, T. (Autor:in) / Shimura, T. (Autor:in) / Watanabe, H. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 342-345

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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