Emission Phenomenon Observation of Thermal Oxides Grown on N-Type 4H-SiC (0001) Wafer: Fid-Bau Portal

Emission Phenomenon Observation of Thermal Oxides Grown on N-Type 4H-SiC (0001) Wafer

Senzaki, J. / Shimozato, A. / Koshikawa, K. / Tanaka, Y. / Fukuda, K. / Okumura, H.

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Titel:

Emission Phenomenon Observation of Thermal Oxides Grown on N-Type 4H-SiC (0001) Wafer

Beteiligte:

Senzaki, J. (Autor:in) / Shimozato, A. (Autor:in) / Koshikawa, K. (Autor:in) / Tanaka, Y. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 378-381

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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