Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(0001) Using Conductive Atomic Force Microscopy: Fid-Bau Portal

Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(0001) Using Conductive Atomic Force Microscopy

Kozono, K. / Hosoi, T. / Kagei, Y. / Kirino, T. / Mitani, S. / Nakano, Y. / Nakamura, T. / Shimura, T. / Watanabe, H.

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Titel:

Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(0001) Using Conductive Atomic Force Microscopy

Beteiligte:

Kozono, K. (Autor:in) / Hosoi, T. (Autor:in) / Kagei, Y. (Autor:in) / Kirino, T. (Autor:in) / Mitani, S. (Autor:in) / Nakano, Y. (Autor:in) / Nakamura, T. (Autor:in) / Shimura, T. (Autor:in) / Watanabe, H. (Autor:in) / Bauer, A.J.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 821-824

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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