DLTS Measurements on 4H-SiC JBS-Diodes with Boron Implanted Local P-N Junctions: Fid-Bau Portal

DLTS Measurements on 4H-SiC JBS-Diodes with Boron Implanted Local P-N Junctions

Ivanov, P.A. / Korolkov, O. / Samsonova, T.P. / Sleptsuk, N. / Potapov, A.S. / Toompuu, J. / Rang, T.

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Titel:

DLTS Measurements on 4H-SiC JBS-Diodes with Boron Implanted Local P-N Junctions

Beteiligte:

Ivanov, P.A. (Autor:in) / Korolkov, O. (Autor:in) / Samsonova, T.P. (Autor:in) / Sleptsuk, N. (Autor:in) / Potapov, A.S. (Autor:in) / Toompuu, J. (Autor:in) / Rang, T. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 409-412

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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