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    Dokumentinformationen
    Titel:

    1.4kV Double-Implanted MOSFETs Fabricated on 4H-SiC(000-1)

    Beteiligte:

    Kono, H. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in) / Takao, K. (Autor:in) / Furukawa, M. (Autor:in) / Mizukami, M. (Autor:in) / Ota, C. (Autor:in) / Harada, S. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 607-612

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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