Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Schottky Barrier 3C-SiC Nanowire Field Effect Transistor

    Neue Suche nach: Rogdakis, K.
    Neue Suche nach: Bano, E.
    Neue Suche nach: Montes, L.
    Neue Suche nach: Bechelany, M.
    Neue Suche nach: Cornu, D.
    Neue Suche nach: Zekentes, K.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Schottky Barrier 3C-SiC Nanowire Field Effect Transistor

    Neue Suche nach: Rogdakis, K.
    Neue Suche nach: Bano, E.
    Neue Suche nach: Montes, L.
    Neue Suche nach: Bechelany, M.
    Neue Suche nach: Cornu, D.
    Neue Suche nach: Zekentes, K.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Schottky Barrier 3C-SiC Nanowire Field Effect Transistor

    Neue Suche nach: Rogdakis, K.
    Neue Suche nach: Bano, E.
    Neue Suche nach: Montes, L.
    Neue Suche nach: Bechelany, M.
    Neue Suche nach: Cornu, D.
    Neue Suche nach: Zekentes, K.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Schottky Barrier 3C-SiC Nanowire Field Effect Transistor

    Beteiligte:

    Rogdakis, K. (Autor:in) / Bano, E. (Autor:in) / Montes, L. (Autor:in) / Bechelany, M. (Autor:in) / Cornu, D. (Autor:in) / Zekentes, K. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 613-616

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Simulations of Schottky-barrier nanowire field effect transistors

    Jaehyun Lee, / Chiyui Ahn, / Mincheol Shin, | IEEE | 2006

    Effect of Source and Drain Contacts Schottky Barrier on 3C-SiC Nanowire FETs I-V Characteristics

    Rogdakis, K. / Lee, S.Y. / Kim, D.J. et al. | British Library Online Contents | 2009

    Gate-Tunable Surface Processes on a Single-Nanowire Field-Effect Transistor

    Mubeen, S. / Moskovits, M. | British Library Online Contents | 2011

    Evaluation of Schottky barrier source/drain contact on gate-all-around polycrystalline silicon nanowire MOSFET

    Ho, Ching-Yuan / Chang, Yew-Jen | British Library Online Contents | 2017

    Single crystalline quasi aligned one dimensional P-type Cu2O nanowire for improving Schottky barrier characteristics

    Hafez, M. / Al-Marzouki, F. / Mahmoud, W. E. | British Library Online Contents | 2011

    Nach oben