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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Effect of Source and Drain Contacts Schottky Barrier on 3C-SiC Nanowire FETs I-V Characteristics

    Beteiligte:

    Rogdakis, K. (Autor:in) / Lee, S.Y. (Autor:in) / Kim, D.J. (Autor:in) / Lee, S.K. (Autor:in) / Bano, E. (Autor:in) / Zekentes, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 235-238

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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