Fabrication of P-Channel MOSFETs on 4H-SiC C-Face: Fid-Bau Portal

Fabrication of P-Channel MOSFETs on 4H-SiC C-Face

Okamoto, M. / Iijima, M. / Yatsuo, T. / Nagano, T. / Fukuda, K. / Okumura, H.

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Titel:

Fabrication of P-Channel MOSFETs on 4H-SiC C-Face

Beteiligte:

Okamoto, M. (Autor:in) / Iijima, M. (Autor:in) / Yatsuo, T. (Autor:in) / Nagano, T. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 653-656

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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