Fabrication of Ge-channel MOSFETs by using replacement gate process and selective epitaxial growth: Fid-Bau Portal

Fabrication of Ge-channel MOSFETs by using replacement gate process and selective epitaxial growth

Terashima, K. / Tanabe, A. / Nakagawa, T. / Mori, K. / Ikarashi, T. / Nakatsuru, J. / Date, H. / Ikemoto, M. / Tatsumi, T.

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Titel:

Fabrication of Ge-channel MOSFETs by using replacement gate process and selective epitaxial growth

Beteiligte:

Terashima, K. (Autor:in) / Tanabe, A. (Autor:in) / Nakagawa, T. (Autor:in) / Mori, K. (Autor:in) / Ikarashi, T. (Autor:in) / Nakatsuru, J. (Autor:in) / Date, H. (Autor:in) / Ikemoto, M. (Autor:in) / Tatsumi, T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6165-6167

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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