High Voltage, Low On-Resistance 4H-SiC BJTs with Improved Junction Termination Extension: Fid-Bau Portal

High Voltage, Low On-Resistance 4H-SiC BJTs with Improved Junction Termination Extension

Ghandi, R. / Buono, B. / Domeij, M. / Zetterling, C.M. / Ostling, M.

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Titel:

High Voltage, Low On-Resistance 4H-SiC BJTs with Improved Junction Termination Extension

Beteiligte:

Ghandi, R. (Autor:in) / Buono, B. (Autor:in) / Domeij, M. (Autor:in) / Zetterling, C.M. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 706-709

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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