High Voltage 4H-SiC BJTs with Deep Mesa Edge Termination: Fid-Bau Portal

High Voltage 4H-SiC BJTs with Deep Mesa Edge Termination

Zhang, J.H. / Zhao, J.H. / Wang, X.H. / Li, X.Q. / Fursin, L. / Alexandrov, P. / Gagliardi, M.A. / Lange, M. / Dries, C.

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Titel:

High Voltage 4H-SiC BJTs with Deep Mesa Edge Termination

Beteiligte:

Zhang, J.H. (Autor:in) / Zhao, J.H. (Autor:in) / Wang, X.H. (Autor:in) / Li, X.Q. (Autor:in) / Fursin, L. (Autor:in) / Alexandrov, P. (Autor:in) / Gagliardi, M.A. (Autor:in) / Lange, M. (Autor:in) / Dries, C. (Autor:in) / Monakhov, E.V.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 710-713

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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