High Temperature Silicon Carbide CMOS Integrated Circuits: Fid-Bau Portal

High Temperature Silicon Carbide CMOS Integrated Circuits

Clark, D.T. / Ramsay, E.P. / Murphy, A.E. / Smith, D.A. / Thompson, R.F. / Young, R.A.R. / Cormack, J.D. / Zhu, C. / Finney, S. / Fletcher, J.

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Titel:

High Temperature Silicon Carbide CMOS Integrated Circuits

Beteiligte:

Clark, D.T. (Autor:in) / Ramsay, E.P. (Autor:in) / Murphy, A.E. (Autor:in) / Smith, D.A. (Autor:in) / Thompson, R.F. (Autor:in) / Young, R.A.R. (Autor:in) / Cormack, J.D. (Autor:in) / Zhu, C. (Autor:in) / Finney, S. (Autor:in) / Fletcher, J. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 726-729

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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