Reliability of Silicon Carbide Integrated Circuits at 300^oC: Fid-Bau Portal

Reliability of Silicon Carbide Integrated Circuits at 300^oC

Vert, A.V. / Andarawis, E.A. / Chen, C.P.

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Titel:

Reliability of Silicon Carbide Integrated Circuits at 300^oC

Beteiligte:

Vert, A.V. (Autor:in) / Andarawis, E.A. (Autor:in) / Chen, C.P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 1265-1268

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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