Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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300^oC Silicon Carbide Integrated Circuits
300^oC Silicon Carbide Integrated Circuits
300^oC Silicon Carbide Integrated Circuits
Stum, Z. (Autor:in) / Tilak, V. (Autor:in) / Losee, P.A. (Autor:in) / Andarawis, E. (Autor:in) / Chen, C. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.
01.01.2011
4 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
620.11
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