Epitaxial growth of uniform NiSi2 layers with atomically flat silicide/Si interface by solid-phase reaction in Ni-P/Si(100) systems: Fid-Bau Portal

Epitaxial growth of uniform NiSi2 layers with atomically flat silicide/Si interface by solid-phase reaction in Ni-P/Si(100) systems

Hsu, H. F. / Chan, H. Y. / Chen, T. H. / Wu, H. Y. / Cheng, S. L. / Wu, F. B.

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Titel:

Epitaxial growth of uniform NiSi2 layers with atomically flat silicide/Si interface by solid-phase reaction in Ni-P/Si(100) systems

Beteiligte:

Hsu, H. F. (Autor:in) / Chan, H. Y. (Autor:in) / Chen, T. H. (Autor:in) / Wu, H. Y. (Autor:in) / Cheng, S. L. (Autor:in) / Wu, F. B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 7422-7426

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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